고려대 전기전자공학부 주병권 교수, 전자부품연구소의 김종웅 박사의 지도 아래 Inverted Layer 공정 기술을 이용한 은나노와이어 전극을 사용하여 휘어지면서, 투명한 저항변화메모리를 개발했다고 밝혔다. 기존 은나노와이어 전극은 값 비싸고, 휘어지지 않는 특성을 갖는 인듐 주석 산화물의 대체 투명전극으로써 많은 연구가 되었다. 하지만, 기판과의 부착성, 다른 투명 전극 대비 높은 표면 거칠기, 대면적 공정 가능성 부분에서 해결해야 할 단점들을 갖고 있었다. 연구팀은 이와 같은 은나노와이어의 단점들을 개선하기 위해서 이번 연구에서 Inverted Layer 공정 기술을 사용하여 투명 폴리이미드 기판 내에 은나노와이어 전극을 삽입하는 기술을 개발하였다. 제작된 전극은 전극 역할뿐 아니라 저항변화메모리 소자의 기판 자체로도 사용되어 기존 저항변화메모리 공정의 복잡성을 줄이고, 대면적 공정을 가능하게 하였다. 연구진은 이번 연구결과를 통해서 미래 투명, 유연 전자소자에서의 새로운 공정 기술을 개발하였으며, 미래 웨어러블 소자의 구현이 가까워질 것으로 기대하고 있다. 이번 연구결과는 국제 학술지 “사이언티픽 리포트(Scientific Report)”에 게재됐다.